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所以拉晶实验成本太高。而采用有限元法数值模拟是一种优化单晶炉设计的重要工具。本文对采用矮加热器的复合式热场进行了数值模拟，得到了氩气流场分布图和热场温度分布图。对新型热屏和矮加热器对晶体生长的影响进行了系统的理论分析和实验验工作。结果表明，新型热屏不仅起到导流筒的作用，了氩气流场，使单晶氧含量下降，而且热屏解决了大直径单晶生长中结晶潜热难以散发的问题，大大提高了拉晶速率，降低了生产成本。

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本文由rxl，欢迎大家完善单晶炉热场的设计与单晶直径在生长过程中可受到温度，提拉速度与转速，坩埚 速度与转速，保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。温度分布合适的热场，不仅单晶生长顺利，而且品质较高；如果热场的温度分布不是很合理,生长单晶的过程中容易产生各种缺陷,影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。使含有一氧化硅的氩气气体的气流经密封导气装置的导气管 及排气口，在真空泵的作用下，排出炉外。密封导气管装置由导气管，底 座，密封环，排气口所组成，在石墨加热器和保温筒之间。上述现有技术的不足之处在于单晶炉的坩埚支持器下方的混合气体 不能有效的排出，从而使混合气体中的一氧化硅对加热器和坩埚进行腐蚀， 影响单晶炉的使用寿命。其包括在单晶炉晶体生长室内的石墨加热器和保温筒间装 种直拉硅单晶炉热场的气流控制方 法及装置且其向炉内充入氩气时的充气气压在1. 3xi03Pa 以上，导致其氩气流量较大，故而氩气消耗量大，生产成本较高。